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隨半導(dǎo)體集成電路技術(shù)的發(fā)展，出現(xiàn)了一批基于集成工藝的光電器件，如光位置傳感器、集成光敏對(duì)管和CCD、CMOS圖像器件以及色敏器件等。
1、光位置光電開(kāi)關(guān)傳感器是當(dāng)光照射到硅光敏二極管的某一位置時(shí)，結(jié)區(qū)產(chǎn)生的空穴向P層漂移，光生電子向N層漂移。到達(dá)P層額空穴分成兩部分：一部分沿表面電子R1流向1端形成光電流i1；另一部分沿表面電阻R2流向2端形成光流I2.當(dāng)電阻層均勻時(shí)是不受光強(qiáng)度變化影響。
光敏對(duì)管為滿(mǎn)足光電檢測(cè)中的差動(dòng)輸出等應(yīng)用需要，可將兩個(gè)光敏電阻對(duì)稱(chēng)布置在同一光敏面上，也可將光敏三極管制成對(duì)管形式，構(gòu)成集成光敏器件。
光電池的集成工藝比較簡(jiǎn)單，它不僅可制成兩元件對(duì)稱(chēng)布置的形式，而且可制成多個(gè)元件的線(xiàn)陣或二維面陣。光敏元件陣列傳感器相對(duì)CCD圖像傳感器而言，每個(gè)元件都需要相應(yīng)的輸出電路，故電路較龐大，但是用HgCdTe元件、InSb等制成的線(xiàn)陣和面陣紅外傳感器，在紅外檢測(cè)領(lǐng)域中仍獲得較多的應(yīng)用。 |
當(dāng)前位置：
