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傳感器電路很容易受到外部或內(nèi)部的一些隨機(jī)噪聲或干擾信號(hào)，如果干擾和噪聲，可與有用信號(hào)的大小相比，這樣傳感器電路輸出的有用信號(hào)將被淹沒(méi)，或者因?yàn)橛杏眯盘?hào)和噪聲成分的量是很難區(qū)分的，它會(huì)干擾對(duì)有用信號(hào)的測(cè)量。因此在傳感器電路的設(shè)計(jì)中，往往是抗干擾設(shè)計(jì)是傳感器電路設(shè)計(jì)成功的關(guān)鍵。 
傳感器電路的內(nèi)噪聲 1低頻噪聲 低頻噪聲主要是由內(nèi)部導(dǎo)電顆粒引起的。特別是碳膜電阻，有許多微小顆粒的炭質(zhì)材料，顆粒之間是不連續(xù)的，電流是流動(dòng)的，導(dǎo)電性的變化會(huì)使電阻引起的電流變化，電弧閃光爆炸產(chǎn)生了類(lèi)似的不良接觸。此外，晶體管可能產(chǎn)生類(lèi)似的突發(fā)噪聲和閃爍噪聲，其機(jī)制類(lèi)似于在電阻中的粒子的不連續(xù)性，并且還涉及到晶體管的摻雜水平。 由2個(gè)半導(dǎo)體器件產(chǎn)生的散粒噪聲 由于半導(dǎo)體的結(jié)勢(shì)壘的變化引起的電荷電壓在該區(qū)域內(nèi)的累積數(shù)的變化，從而揭示了電容效應(yīng)。當(dāng)正電壓增加時(shí)，在n區(qū)域中的電子和P區(qū)的空穴中的空穴向耗盡區(qū)，這是相當(dāng)于電容器的電荷移動(dòng)。當(dāng)正向電壓降低時(shí)，它使電子和空穴遠(yuǎn)離耗盡區(qū)，這相當(dāng)于電容器放電的容量。當(dāng)反向電壓被施加時(shí)，耗盡區(qū)是相反的。當(dāng)電流通過(guò)阻擋層時(shí)，這種變化會(huì)引起電流流過(guò)勢(shì)壘區(qū)域的小波動(dòng)，導(dǎo)致電流噪聲。的噪聲的大小和溫度，帶寬度是正比于F。 |
當(dāng)前位置：
