為了便于理解在CCD中勢阱電荷如何從一個位置移到另一個位置，取CCD中四個彼此靠得很近的電極來觀察。
假定開始時有一些電荷存儲在偏壓為10V的第二個電極下面的深勢阱里，其他電極上均加有大于域值電壓的較低電壓。為零時刻過T1時刻后，各電極上的電壓變?yōu)橄陆�，第二個電極仍保持為10V，第三個電極上的電壓由2V變到10V，因這兩個電極靠得很緊，它們各自的對應勢阱將合并在一起。原來在第二個電極下的電荷變?yōu)橄聝蓚�電極下的勢阱所共有。若此后電極上的電壓和第二個電極電壓由10V變?yōu)?V，第三個電極電壓仍為10V，則共有的電荷轉(zhuǎn)移到第三個電極下的勢阱中。由此可見，深勢阱及電荷包向右移了一個位置。
通過將一定規(guī)則變化的電壓加到CCD各電極上，電極下的電荷包就能沿半導體表面按一定方向移動。通常把CCD電極分為幾組，每一組稱為一相，并施加同樣的時鐘脈沖。CCD的內(nèi)部結構決定了使其正常工作所需的相數(shù)。結構需要三相時鐘脈沖。這樣的CCD稱為三相CCD。三相CCD的電荷耦合方式必須在三相交作用下才能以一定的方向，逐個單元的轉(zhuǎn)移。另外必須強調(diào)指出的是，CCD電極間隙必須很小，電荷才能不受阻礙地自一個電極下轉(zhuǎn)移到相鄰電極下，這對于電極結構是一個關鍵問題。如果電極間隙比較大，兩相鄰電極間的勢阱將被勢壘隔開，不能合并，電荷也不能從一個電極向另一個電極轉(zhuǎn)移，CCD便不能在外部時鐘脈沖的作用下正常工作。 |
當前位置：
